发明名称 |
双极高电子迁移率晶体管及其形成方法 |
摘要 |
一种外延层结构,包括场效应晶体管结构和异质结双极晶体管结构。异质结双极晶体管结构包含与场效应晶体管结构组合形成的n掺杂次集电极和集电极,其中次集电极或集电极中至少一部分包含Sn、Te或Se。在一个实施方式中,基极形成在集电极上方;以及发射极形成在基极上方。双极晶体管和场效应晶体管每个独立地包含III-V半导体材料。 |
申请公布号 |
CN102842578A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201210230125.4 |
申请日期 |
2012.06.21 |
申请人 |
寇平公司 |
发明人 |
K·斯蒂文斯;C·路茨 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/8248(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华;黄耀钧 |
主权项 |
一种外延层结构,包括:(a)场效应晶体管结构,其包括接触层;以及(b)形成在所述场效应晶体管结构上方的异质结双极晶体管结构,其中所述异质结双极晶体管结构包含i)形成在所述场效应晶体管结构的接触层上方的n掺杂次集电极ii)所述次集电极上方的集电极,其中次集电极和集电极中的至少一个每个独立地包括由锡Sn、碲Te和硒Se组成的组中的至少一个成员;iii)在所述集电极上方的基极,以及iv)在所述基极上方的发射极;其中所述异质结双极晶体管结构的集电极和次集电极中至少一个,以及所述场效应晶体管结构的接触层,每个独立地包含III‑V半导体材料。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |