| 发明名称 | 一种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构，包括：一硅片，其上方具有集电区和场隔离区，在集电区和场隔离区上方生长有多晶硅层和锗硅薄膜层，其中部分锗硅薄膜层生长在多晶硅层上方，锗硅薄膜层的上方生长有一层无机抗反射材料层和至少一层硬掩蔽膜层。本发明还公开了所述锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构的制作方法。本发明能减少锗硅薄膜层漫反射光线对光刻胶形貌的影响，提高生产中对关键尺寸的控制能力，获得更小尺寸的光刻图形。 | ||
| 申请公布号 | CN102842607A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201110265403.5 | 申请日期 | 2011.09.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 郭晓波;孟鸿林 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构，其特征是，包括：一硅片，其上方具有集电区和场隔离区，在集电区和场隔离区上方生长有多晶硅层和锗硅薄膜层，其中部分锗硅薄膜层生长在多晶硅层上方，锗硅薄膜层的上方生长有一无机抗反射材料层，无机抗反射材料层上方生长有第二硬掩蔽膜层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区浦东川桥路1188号 | ||