| 发明名称 | 一种IGBT芯片可变栅内阻及其设计方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种IGBT芯片可变栅内阻，所述IGBT芯片包括栅极区，所述栅极区集成IGBT芯片的开关特性；所述栅极区包括栅焊盘区和栅汇流条区；所述栅内阻串联在所述栅焊盘区和栅汇流条区之间；所述栅内阻的大小在2-10Ω之间。本发明还涉及一种IGBT芯片可变栅内阻的设计方法，本发明提供的方案使栅内阻灵活可变，应用范围广，改善了现有技术的固定栅电阻值的缺陷。通过改变多晶电阻的拓扑，可实现多晶电阻大小的调整。仅改变一块掩模版（多晶掩模版），改变多晶的拓扑，调节栅内阻，方便的实现可变栅内阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102842606A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201210305948.9 | 申请日期 | 2012.08.24 |
| 申请人 | 中国电力科学研究院;国家电网公司 | 发明人 | 刘江;高明超;赵哿;金锐 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种IGBT芯片可变栅内阻，所述IGBT芯片包括栅极区，所述栅极区集成IGBT芯片的开关特性；所述栅极区包括栅焊盘区和栅汇流条区；其特征在于，所述栅内阻串联在所述栅焊盘区和栅汇流条区之间；所述栅内阻的大小在2‑10Ω之间。 | ||
| 地址 | 100192 北京市海淀区清河小营东路15号 | ||