光电子器件

摘要

提出了一种光电子器件，具有：连接支承体(1)，其包括带有上侧(11)的基本体(12)，其中基本体(12)在至少一个方向(40)中具有最高12*10-6l/K的热膨胀系数，以及芯片支承体(2)，其中芯片支承体(2)具有上侧(21)和下侧(22)，在该上侧上设置有至少一个光电子半导体芯片(3)，在该下侧上有至少一个接触层(23)，该接触层与所述至少一个光电子半导体芯片(3)导电连接，其中芯片支承体以其下侧(22)固定在连接支承体(1)的上侧(21)上，并且借助至少一个接触层(23)与连接支承体(1)导电连接。

主权项

一种光电子器件，具有：‑连接支承体(1)，其包括带有上侧(11)的基本体(12)，其中基本体(12)在至少一个方向(40)中具有最高12＊10‑6l/K的热膨胀系数，以及‑芯片支承体(2)，其中芯片支承体(2)具有上侧(21)和下侧(22)，在该上侧上设置有至少一个光电子半导体芯片(3)，在该下侧上有至少一个接触层(23)，所述至少一个接触层与所述至少一个光电子半导体芯片(3)导电连接，其中‑芯片支承体(2)以其下侧(22)固定在连接支承体(1)的上侧(21)上，并且借助所述至少一个接触层(23)与连接支承体(1)导电连接，‑芯片支承体(2)具有基本体(26)，该基本体带有在芯片支承体(2)的上侧(21)上的覆盖面(27)、在芯片支承体(2)的下侧(22)上的底面(28)以及至少一个侧面(29)，所述侧面将上述两个面彼此连接，‑接触层(23)构建为金属化物(30)的一部分，该金属化物从底面(28)经过所述至少一个侧面(29)延伸至基本体(26)的覆盖面(27)，以及‑所述至少一个光电子半导体芯片(3)与所述金属化物(30)导电连接，其中‑芯片支承体(2)的基本体(26)以陶瓷材料形成，所述陶瓷材料在至少一个方向(40)中具有最高8＊10‑6l/K的热膨胀系数。