Nicht-Flüchtiger dynamischer Schreib/Lese-Speicher

摘要

Ein Verfahren zum Betreiben einer nicht-flüchtigen dynamischen Schreib/Lese-Speicher-(NVDRAM-)Vorrichtung, die eine Vielzahl von Speicherzellen aufweist, wobei jede Zelle einen Kondensator und einen Transistor aufweist, der ein Floating-Gate aufweist, schließt die Schritte (A) eines Erstellens eines Einschaltmodus zum Durchführen eines DRAM-Betriebs; und (B) eines Erstellens eines Ausschaltmodus zum Halten gespeicherter Daten in der Speicherzelle ein.