| 发明名称 | 一种石墨烯单晶片的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的石墨烯单晶片的制备方法，采用的是等离子体刻蚀方法，将厚度均匀的纯石墨放入等离子体发生器的反应室，反应室抽真空，通入氩气、氧气或氮气作为刻蚀气体，利用射频源使刻蚀气体电离成为等离子体，轰击石墨表面，使石墨厚度在5纳米以下，得到石墨烯单晶片。本发明方法工艺简单、可控性强、可以制备大面积、高晶体学质量的石墨烯，适应工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102206867B | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201110112505.3 | 申请日期 | 2011.05.03 |
| 申请人 | 杭州格蓝丰纳米科技有限公司 | 发明人 | 林时胜 |
| 分类号 | C30B33/12(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 一种石墨烯单晶片的制备方法，其特征是步骤如下：将厚度均匀的纯石墨放入等离子体发生器的反应室，反应室真空度抽到500Pa以下，通入氩气、氧气或氮气作为刻蚀气体，控制刻蚀气体流量0.001～10000ml/min，利用射频源使刻蚀气体电离成为等离子体，轰击石墨表面，使石墨厚度在5纳米以下，得到石墨烯单晶片。 | ||
| 地址 | 310007 浙江省杭州市西湖区西溪路525号C楼428室 | ||