测试MOS器件温度特性的结构及方法

摘要

本发明提供一种测试MOS器件温度特性的结构及方法，所述结构包括：一个自带加热结构的待测试MOS器件和一个PN结，所述加热结构为围绕在MOS器件和PN结周围，且在一侧有开口的框型电阻结构。通过利用加热结构快速升温的特点，对MOS器件的局部进行加热，使得升温效果显著加快；只在进行一次温度校准后，通过改变施加在加热结构两端的电流或者电压，使得MOS器件的温度特性的测试一次性就能够完成，提高了温度特性测试的效率。

主权项

一种测试MOS器件温度特性的结构，其特征在于，所述结构包括：加热结构、待测试的MOS器件和PN结，所述加热结构为一侧有开口的框型电阻结构，所述MOS器件和所述PN结位于所述加热结构内部。