测试搬运机、封装晶片卸载及制造方法以及测试托盘传送方法

摘要

本发明系提供了一种测试搬运机、封装晶片卸载方法、测试托盘传送方法及封装晶片制造方法。此测试搬运机系包含：装载单元，此装载单元包含装载拾取器，此装载拾取器用以在位于装载位置之测试托盘上执行装载制程；腔室系统，在腔室系统中，收容于从装载单元传送而来的测试托盘之中的封装晶片系被连接至高精度定位板并进行测试；卸载单元，此卸载单元包含有至少一个卸载缓冲器及一个卸载拾取器，卸载缓冲器系沿着形成于位于卸载位置的测试托盘之上方的卸载移动路径移动，卸载拾取器系用以在位于卸载位置的测试托盘上执行卸载制程；通路位置，系配置于装载单元与卸载单元之间并将装载单元与卸载单元连接至腔室系统；以及传送单元，系用以传送测试托盘。依据上述构造，本发明系能够藉由减少拾取器之移动距离来缩短装载制程与卸载制程所用之时间，进而提高装载制程与卸载制程之效率。

主权项

一种测试搬运机，系包含：一装载单元，该装载单元包含一装载拾取器，该装载拾取器用以在位于一装载位置之一测试托盘上执行一装载制程，该装载位置系为该测试托盘中收容有待测试的封装晶片时该测试托盘所处的位置；一腔室系统，在该腔室系统中，收容于从该装载单元传送而来的该测试托盘之中的封装晶片系被连接至一高精度定位板并进行测试；一卸载单元，该卸载单元包含有至少一个卸载缓冲器以及一卸载拾取器，所述卸载缓冲器系沿着形成于位于一卸载位置的一测试托盘之上方的一卸载移动路径移动，该卸载位置系为从该测试托盘上分离测试后的封装晶片时该测试托盘所处的位置，该卸载拾取器系用以在位于该卸载位置的该测试托盘上执行一卸载制程，并且该卸载单元系被设置于该装载单元的旁边；一通路位置，系配置于该装载单元与该卸载单元之间并将该装载单元与该卸载单元连接至该腔室系统以使得收容有待测试的封装晶片之测试托盘可从该装载单元传送至该腔室系统并且收容有测试后的封装晶片之测试托盘可从该腔室系统传送至该卸载单元；以及一传送单元，系用以将测试托盘从该装载单元传送至该通路位置，并将该测试托盘从该通路位置传送至该卸载单元，以及将该测试托盘从该卸载单元传送至该装载单元。如请求项1所述之测试搬运机，其中该卸载单元包含复数个卸载缓冲器，该等卸载缓冲器可单独地移动，其中复数个卸载缓冲器中的至少一个卸载缓冲器系可沿着该卸载移动路径移动藉以经过位于该卸载位置的测试托盘之上方。如请求项1所述之测试搬运机，其中该装载单元系包含至少一个装载缓冲器，所述装载缓冲器系沿着形成于位于该装载位置的一测试托盘之上方的一装载移动路径移动。如请求项3所述之测试搬运机，其中该装载缓冲器系沿着该装载移动路径移动藉以经过位于该装载位置的该测试托盘之上方。如请求项1所述之测试搬运机，其中该装载单元包含一第一上升/下降单元，系用以使该测试托盘沿着形成于该装载位置、一第一抵达位置及一第一脱离位置之中的一第一上升/下降路径上升和下降，其中该第一抵达位置系位于该装载位置之下方且系为该测试托盘抵达之位置，该第一脱离位置系位于该第一抵达位置之下方且系为该测试托盘脱离之位置，其中该卸载单元包含一第二上升/下降单元，系用以使该测试托盘沿着形成于该卸载位置、一第二脱离位置及一第二抵达位置之中的一第二上升/下降路径上升和下降，其中该第二脱离位置系位于该卸载位置之下方且系为该测试托盘脱离之位置，该第二抵达位置系位于该第二脱离位置之下方且系为该测试托盘抵达之位置。如请求项5所述之测试搬运机，其中该传送单元包含：一第一传送单元，该第一传送单元用以将位于该第一脱离位置的该测试托盘传送至该通路位置并将位于该通路位置的该测试托盘传送至该第二抵达位置；以及一第二传送单元，该第二传送单元用以将位于该第二脱离位置的该测试托盘传送至该第一抵达位置。如请求项6所述之测试搬运机，其中该第一传送单元包含：一第一传送元件，该第一传送元件用以将位于该第一脱离位置的该测试托盘传送至该通路位置；一第二传送元件，该第二传送元件用以将位于该通路位置的该测试托盘传送至该第二抵达位置；以及一移动元件，该第一传送元件与该第二传送元件系连接至该移动元件，并且该移动元件使该第一传送元件与该第二传送元件同时移动。如请求项1所述之测试搬运机，其中该卸载拾取器包含：一第一卸载拾取器，系从该卸载缓冲器拾取测试后的封装晶片并将所拾取的封装晶片收容于位于该卸载堆叠机中的一用户托盘中；以及一第二卸载拾取器，系用以从位于该卸载位置的该测试托盘上分离测试后的封装晶片并将分离后的封装晶片收容于该卸载缓冲器中，其中该第二卸载拾取器系将位于该卸载位置的该测试托盘划分成复数个分离区并透过该等分离区将测试后的封装晶片分离。如请求项8所述之测试搬运机，其中该卸载缓冲器系沿着该卸载移动路径移动以使得当该第二卸载拾取器执行该卸载制程时，该第二卸载拾取器之移动距离缩短。如请求项1所述之测试搬运机，其中该卸载单元包含复数个独立移动之卸载缓冲器，其中复数个卸载缓冲器中的至少一个卸载缓冲器系沿着该卸载移动路径移动藉以经过位于该卸载位置的该测试托盘之上方，以及其中其它的卸载缓冲器系沿着该卸载移动路径在该装载位置与该卸载位置之间移动。一种封装晶片卸载方法，系包含以下步骤：使一第二卸载拾取器从位于一卸载位置的一测试托盘上分离测试后的封装晶片，该卸载位置系为从该测试托盘上分离测试后的封装晶片时该测试托盘所处的位置；使复数个卸载缓冲器中的至少一个卸载缓冲器沿着形成于位于该卸载位置的该测试托盘之上方的一卸载移动路径移动，以使得至少一个卸载缓冲器系位于处在该卸载位置的该测试托盘之上方；使该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片收容于该卸载缓冲器之中；使收容有测试后的封装晶片之该卸载缓冲器沿着该卸载移动路径移动至一第一卸载拾取器能够从该卸载缓冲器中拾取测试后的封装晶片之位置；以及使该第一卸载拾取器从该卸载缓冲器中拾取测试后的封装晶片并将所拾取的封装晶片收容于位于该卸载堆叠机中的一用户托盘之中。如请求项11所述之封装晶片卸载方法，其中使复数个卸载缓冲器中的至少一个卸载缓冲器沿着形成于位于该卸载位置的该测试托盘之上方的该卸载移动路径移动以使得至少一个卸载缓冲器系位于处在该卸载位置的该测试托盘之上方的步骤系包含使复数个卸载缓冲器中的至少一个卸载缓冲器移动到低于该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片从位于该卸载位置的该测试托盘中分离之位置的步骤。如请求项11所述之封装晶片卸载方法，其中使该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片收容于该卸载缓冲器之中的步骤系包含以下步骤：使该第二卸载拾取器移动至该卸载缓冲器之上方；以及使该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片收容于该卸载缓冲器之中。一种测试托盘传送方法，系包含以下步骤：使一装载单元执行将待测试的封装晶片收容于位于一装载位置之测试托盘中的一装载制程，该装载位置系为该测试托盘中收容有待测试的封装晶片时该测试托盘所处的位置；使已经过该装载制程的该测试托盘从该装载位置下降至低于该装载位置的一第一脱离位置；将位于该第一脱离位置的该测试托盘传送至连接该装载单元与一腔室系统的一通路位置处；将位于该通路位置并且已经过装载制程的测试托盘从该通路位置传送至该腔室系统；使该腔室系统调整收容于该测试托盘中的封装晶片至一第一温度，连接调整至该第一温度的封装晶片至一高精度定位板并测试封装晶片，并且将测试后的封装晶片调整至一第二温度；将收容有测试后的封装晶片之测试托盘从该腔室系统传送至该通路位置；将位于该通路位置且收容有测试后的封装晶片之测试托盘从该通路位置传送至位于一卸载位置之下方的一第一抵达位置处，该卸载位置系为从该测试托盘上分离测试后的封装晶片时该测试托盘所处的位置；使位于该第一抵达位置的该测试托盘上升至该卸载位置；在位于该卸载位置的该测试托盘上执行一卸载制程；以及将已经过该卸载制程的该测试托盘通过介于该卸载位置与该第二抵达位置之间的一第二脱离位置以及介于该装载位置与该第一脱离位置之间的一第一抵达位置而从该卸载位置传送至该装载位置，其中在位于该卸载位置的该测试托盘上执行该卸载制程之步骤系包含以下步骤：使一第二卸载拾取器从位于该卸载位置的该测试托盘上分离测试后的封装晶片；使复数个卸载缓冲器中的至少一个卸载缓冲器沿着形成于位于该卸载位置的该测试托盘之上方的一卸载移动路径移动，以使得至少一个卸载缓冲器系位于处在该卸载位置的该测试托盘之上方；使该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片收容于该卸载缓冲器之中；使收容有测试后的封装晶片之该卸载缓冲器沿着该卸载移动路径移动至一第一卸载拾取器能够从该卸载缓冲器中拾取测试后的封装晶片之位置；以及使该第一卸载拾取器从该卸载缓冲器中拾取测试后的封装晶片并将所拾取的封装晶片收容于位于一卸载堆叠机中的一用户托盘之中。如请求项14所述之测试托盘传送方法，其中使复数个卸载缓冲器中的至少一个卸载缓冲器沿着形成于位于该卸载位置的该测试托盘之上方的该卸载移动路径移动以使得至少一个卸载缓冲器系位于处在该卸载位置的该测试托盘之上方的步骤系包含使复数个卸载缓冲器中的至少一个卸载缓冲器移动到低于该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片从位于该卸载位置的该测试托盘中分离之位置的步骤。如请求项14所述之测试托盘传送方法，其中使该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片收容于该卸载缓冲器之中的步骤系包含以下步骤：使该第二卸载拾取器移动至该卸载缓冲器之上方；以及使该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片收容于该卸载缓冲器之中。如请求项14所述之测试托盘传送方法，其中将位于该第一脱离位置的该测试托盘传送至连接该装载单元与该腔室系统的该通路位置处之步骤系与将位于该通路位置且收容有测试后的封装晶片之测试托盘从该通路位置传送至位于该卸载位置之下方的该第一抵达位置处之步骤同时进行。一种封装晶片制造方法，系包含以下步骤：制备待测试的封装晶片；使一装载单元执行将已制备的封装晶片收容于位于一装载位置之测试托盘中的一装载制程，该装载位置系为该测试托盘中收容有待测试的封装晶片时该测试托盘所处的位置；使已经过该装载制程的该测试托盘从该装载位置下降至低于该装载位置的一第一脱离位置；将位于该第一脱离位置的该测试托盘传送至连接该装载单元与一腔室系统的一通路位置处；将位于该通路位置并且已经过装载制程的测试托盘从该通路位置传送至该腔室系统；使该腔室系统调整收容于该测试托盘中的封装晶片至一第一温度，连接调整至该第一温度的封装晶片至一高精度定位板并测试封装晶片，并且将测试后的封装晶片调整至一第二温度；将收容有测试后的封装晶片之测试托盘从该腔室系统传送至该通路位置；将位于该通路位置且收容有测试后的封装晶片之测试托盘从该通路位置传送至位于一卸载位置之下方的一第一抵达位置处，该卸载位置系为从该测试托盘上分离测试后的封装晶片时该测试托盘所处的位置；使位于该第一抵达位置的该测试托盘上升至该卸载位置；在位于该卸载位置的该测试托盘上执行一卸载制程；以及将已经过该卸载制程的该测试托盘通过介于该卸载位置与该第二抵达位置之间的一第二脱离位置以及介于该装载位置与该第一脱离位置之间的一第一抵达位置而从该卸载位置传送至该装载位置，其中在位于该卸载位置的该测试托盘上执行该卸载制程之步骤系包含以下步骤：使一第二卸载拾取器从位于该卸载位置的该测试托盘上分离测试后的封装晶片；使复数个卸载缓冲器中的至少一个卸载缓冲器沿着形成于位于该卸载位置的该测试托盘之上方的一卸载移动路径移动，以使得至少一个卸载缓冲器系位于处在该卸载位置的该测试托盘之上方；使该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片收容于该卸载缓冲器之中；使收容有测试后的封装晶片之该卸载缓冲器沿着该卸载移动路径移动至一第一卸载拾取器能够从该卸载缓冲器中拾取测试后的封装晶片之位置；以及使该第一卸载拾取器从该卸载缓冲器中拾取测试后的封装晶片并将所拾取的封装晶片收容于位于一卸载堆叠机中的一用户托盘之中。如请求项18所述之封装晶片制造方法，其中使复数个卸载缓冲器中的至少一个卸载缓冲器沿着形成于位于该卸载位置的该测试托盘之上方的该卸载移动路径移动以使得至少一个卸载缓冲器系位于处在该卸载位置的该测试托盘之上方的步骤系包含使复数个卸载缓冲器中的至少一个卸载缓冲器移动到低于该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片从位于该卸载位置的该测试托盘中分离之位置的步骤。如请求项18所述之封装晶片制造方法，其中使该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片收容于该卸载缓冲器之中的步骤系包含以下步骤：使该第二卸载拾取器移动至该卸载缓冲器之上方；以及使该第二卸载拾取器将测试后的封装晶片收容于该卸载缓冲器之中。