| 主权项 |
一种配线基板，系具备：具有复数个主面之芯基板，系含有以高分子材料构成之板状芯本体，及收容在作为贯通该芯基板之两个主面间之贯通孔或在该芯基板之一个主面上开口之凹部所形成之副芯收容部的内部、以陶瓷构成之板状陶瓷副芯；及配线积层部，系在该芯基板之主面上，以高分子材料构成之介电质层与导体层交互积层而形成；该陶瓷副芯具有组入于本身的电容器及导体接垫，该导体接垫系以使一个表面配置于其一个主面之方式形成于该一个主面上并电性连接该电容器；其特征为：该导体接垫上形成有全面覆盖该导体接垫中除了该一个表面以外的数个表面之镀铜层，且至少该镀铜层之整个上表面为实施用以提高和高分子材料密接性之表面化学处理的处理面，该配线积层部最下层之该介电质层及贯通该介电质层形成的导通导体(via conductor)为电性接触在该处理面上。如申请专利范围第1项之配线基板，其中该处理面系以实施铜粗化处理来作为该表面化学处理后的粗化面。如申请专利范围第1项之配线基板，其中该处理面系实施以含铜、锡合金所成之接着层的形成处理来作为该表面化学处理后所成之接着层形成面。如申请专利范围第1项之配线基板，其中该导体接垫系以非铜之金属作为主成分的金属材料所构成。如申请专利范围第4项之配线基板，其中该导体接垫系以Ag、Pt、Au、Ni、Mo、W中之至少任一者作为主成分。如申请专利范围第1项之配线基板，其中该导体接垫系以铜作为主成分，并系由铜含量低于该镀铜层之金属材料所构成。如申请专利范围第1项之配线基板，其中该陶瓷副芯系在一方之主面上具有包含复数个第1电极导体薄膜及复数个第2电极导体薄膜的薄膜电容器以作为该电容器，其系在直流上相互分离之第1电极导体薄膜与第2电极导体薄膜为挟持介电质薄膜而交互地成膜，且形成在该薄膜电容器表面上之该导体接垫，系以Ag、Pt、Au中之任一者作为主成分而构成为成膜层，其表面上则形成该镀铜层。如申请专利范围第1项之配线基板，其中该陶瓷副芯，系以全体作为该电容器，且为包含复数个第1电极导体层及复数个第2电极导体层的积层陶瓷电容器，其系在直流上相互分离之第1电极导体层与第2电极导体层为挟持由陶瓷所形成之电介质层而交互地积层，连接该积层陶瓷电容器之该导体接垫，系以Ni或Ag作主成分构成为金属化接垫，其表面上则形成该镀铜层。一种配线基板，系具备：具有两个主面之芯基板，含有芯本体，其具有作为贯通该芯基板之两个主面间之贯通孔或在该芯基板之一个主面上开口之凹部所形成之副芯收容部；陶瓷副芯，系在芯主面上形成导体接垫而使该导体接垫的一个表面配置于该主面，并收容于该副芯收容部之内部；配线积层部，为形成在该芯基板之主面上，系将导通导体贯通形成之介电质层与导体层作交互积层而形成的配线基板：及覆盖层(overcoat layer)，系形成在该导体接垫而全面覆盖该导体接垫中除了该一个表面以外的表面，因而呈现与该一个表面相对向之包含上面部分的外部面(outer face)，且至少该覆盖层之外部面的上面部分被作成为粗化表面，位在该配线积层部之该芯基板上之该介电质层及贯通该介电质层所形成之该导通导体系电性接触该粗化表面。如申请专利范围第9项之配线基板，其中该覆盖层系仅外部面的上面部分作成该粗化表面。如申请专利范围第9项之配线基板，其中该覆盖层为以铜形成之层。如申请专利范围第11项之配线基板，其中该导体接垫系以非铜之金属作为主成分的金属材料所构成。如申请专利范围第12项之配线基板，其中该导体接垫系以Ag、Pt、Au、Ni、Mo、W中之至少任一者作为主成分。如申请专利范围第11项之配线基板，其中该导体接垫系以铜作为主成分，并系由铜含量低于该镀铜层之金属材料所构成。如申请专利范围第11项之配线基板，其中该陶瓷副芯系在一方之主面上具有包含复数个第1电极导体薄膜及复数个第2电极导体薄膜的薄膜电容器以作为该电容器，其系在直流上相互分离之第1电极导体薄膜与第2电极导体薄膜为挟持介电质薄膜而交互地成膜，且形成在该薄膜电容器表面上之该导体接垫，系以Ag、Pt、Au中之任一者作为主成分而构成为成膜层，其表面上则形成该镀铜层。如申请专利范围第11项之配线基板，其中该陶瓷副芯，系以全体作为该电容器，且为包含复数个第1电极导体层及复数个第2电极导体层的积层陶瓷电容器，其系在直流上互为分离之第1电极导体层与第2电极导体层为挟持由陶瓷所形成之介电质层而交互地积层，连接该积层陶瓷电容器之该导体接垫，系以Ni或Ag作主成分构成为金属化接垫，其表面上则形成该镀铜层。 |
