| 主权项 |
一种用于降低以彼此间隔开且大致平行关系延伸之一硬质罩幕之间隔物的边缘之线宽粗糙度(LWR)之方法，该方法包含：进行化学氧化物移除以使沿该等边缘之该等间隔物之一部分转化为一可分解化合物层；及处理该可分解化合物层以自该等间隔物之该等边缘移除该可分解化合物层；其中该等间隔物之该等边缘之该线宽粗糙度(LWR)经降低。如请求项1之方法，其中该等间隔物之临界尺寸沿该等间隔物之长度大体上相同。一种用于降低以一彼此间隔开且大致平行关系延伸之一硬质罩幕之间隔物的一边缘之线粗糙度之方法，该方法包含：进行化学氧化物移除以使沿该等间隔物之边缘之凸部转化为可分解材料；及处理该可分解材料以自该等间隔物之边缘移除该可分解材料；其中该等间隔物之该等边缘之该线粗糙度经降低。一种用于降低以一彼此间隔开且大致平行关系延伸之一硬质罩幕之间隔物的一边缘之线粗糙度之方法，该方法包含：暴露该等间隔物于氨气与氟化氢气体之气体混合物中，以使沿该等间隔物之该边缘之凸部转化为一六氟矽酸铵((NH4)2SiF6)层；及分解该六氟矽酸铵层，其中该等间隔物之该边缘之该粗糙度经降低。如请求项4之方法，其中暴露该等间隔物于该气体混合物系在可有效转化该等间隔物之约0.1 nm-5 nm厚度之凸部的加工条件下进行，加工条件包括预定之气流量、气压、基板温度及时间段。如请求项5之方法，其中暴露该等间隔物于该气体混合物系在可有效转化该等间隔物之约0.1 nm-2 nm厚度之凸部的加工条件下进行。如请求项4之方法，其中该氨气及氟化氢气体之气流量各自为约30 sccm-50 sccm，该气压为约10 mTorr-30 mTorr，该基板温度为约25℃-45℃，且该时间段为约30秒-120秒。如请求项4之方法，其中该等间隔物包含选自由氧化矽、四乙基正矽酸盐(TEOS)氧化物及富矽氮氧化矽组成之群之材料。如请求项4之方法，其中分解该六氟矽酸铵层包含热分解该六氟矽酸铵层。如请求项4之方法，其中分解该六氟矽酸铵层包括暴露该六氟矽酸铵层于水。一种降低以一彼此间隔开且大致平行关系延伸之一硬质罩幕之间隔物的边缘之线宽粗糙度(LWR)之方法，该方法包含：进行化学氧化物移除以使沿该等边缘之该等间隔物之约0.1 nm-5 nm厚度的凸部转化为一可分解化合物层，该等间隔物包含选自由氧化矽、四乙基正矽酸盐(TEOS)氧化物及富矽氮氧化矽组成之群之氧化物材料；及移除该可分解化合物层以降低该等间隔物之该等边缘之该线宽粗糙度(LWR)。如请求项11之方法，其中移除该可分解化合物层包括移除该等间隔物之小于约2 nm之厚度。一种降低以一彼此间隔开且大致平行关系延伸之一硬质罩幕之间隔物的边缘之线宽粗糙度(LWR)之方法，该方法包含：进行化学氧化物移除以使沿该等边缘之该等间隔物之约0.1 nm-5 nm厚度的凸部转化为一可分解化合物层，该等间隔物包含选自由氧化矽、四乙基正矽酸盐(TEOS)氧化物及富矽氮氧化矽组成之群之氧化物材料；移除该可分解化合物层以降低该等间隔物之该等边缘之该线宽粗糙度(LWR)；及使氧化物沈积于该等间隔物上以修改该等间隔物之形状。如请求项13之方法，其中使氧化物沈积于该等间隔物上包括藉由原子层沈积来沈积氧化物。如请求项13之方法，其中使氧化物沈积于该等间隔物上包括增加该等间隔物之宽度。一种降低以一彼此间隔开且大致平行关系延伸之一硬质罩幕之间隔物的线宽粗糙度(LWR)之方法，该方法包含：进行化学氧化物移除以使沿边缘之该等间隔物的一部分转化为一可分解化合物层；及处理该可分解化合物层以自该等间隔物之边缘移除该可分解化合物层；其中该等间隔物之一边缘轮廓之凸区-至-凹区LWR振幅经降低。一种降低以一彼此间隔开且大致平行关系延伸之一硬质罩幕之间隔物的一边缘之线粗糙度之方法，该方法包含：暴露该等间隔物于氨气与氟化氢气体之气体混合物，以使沿该等间隔物之该边缘之凸部转化为一六氟矽酸铵((NH4)2SiF6)层，该等间隔物具有沿该等间隔物之长度之可变临界尺寸；及分解该六氟矽酸铵层，其中该等间隔物之该边缘之该粗糙度经降低且该等间隔物之该临界尺寸沿该等间隔物之长度大体上相同。 |
