| 主权项 |
一种薄膜电晶体，其系包括：基板；通道层，其系设置于该基板上，该通道层系由至少两种不同的氧化物材料所形成之复数氧化物层所堆叠而成；复数个金属电极，其系设置于该通道层上；绝缘介电层，其系局部覆盖该复数个金属电极；以及闸极电极，系设置于该绝缘介电层上。如申请专利范围第1项之薄膜电晶体，其中，该两种不同的氧化物材料分别具有高导电性特性以及高阻值特性。如申请专利范围第1项之薄膜电晶体，其中，堆叠该至少两种不同的氧化物材料所形成之复数氧化物层的总堆叠层数为2层至100层之间，且其整体厚度可介于100埃至1000埃之间。如申请专利范围第3项之薄膜电晶体，其中，系依序堆叠该至少两种不同的氧化物材料所形成之复数氧化物层。如申请专利范围第1项之薄膜电晶体，复包括设置于该通道层和该绝缘介电层之间且位于该复数个金属电极之间的绝缘介面层。如申请专利范围第5项之薄膜电晶体，其中，该绝缘介面层系包括氧化镓、氧化矽、氧化铝或氧化钛之至少一者或其混合物。如申请专利范围第6项之薄膜电晶体，其中，该绝缘介面层之厚度小于40埃。如申请专利范围第1项之薄膜电晶体，其中，该至少两种不同的氧化物材料系选自氧化铟与氧化镓之组合、氧化锡与氧化镓之组合、氧化锌与氧化镓之组合以及氧化铟与氧化锌之组合的其中一者。如申请专利范围第1项之薄膜电晶体，其中，该两个氧化物层之其中一层的厚度介于5埃至100埃之间，而另一层的厚度介于0.1埃至100埃之间。如申请专利范围第1项之薄膜电晶体，其中，该复数氧化物层之氧化物材料系选自氧化铟、氧化镓、氧化锡、氧化锌、氧化铝及氧化铜之至少一者。一种薄膜电晶体，其系包含基板；闸极电极，系设置于该基板上；绝缘介电层，其系覆盖该闸极电极；通道层，其系设置于该绝缘介电层上，该通道层系由至少两种不同的氧化物材料所形成之复数氧化物层所堆叠而成；以及复数个金属电极，其系设置于该通道层上。如申请专利范围第11项之薄膜电晶体，其中，该两种不同的氧化物材料分别具有高导电性特性以及高阻值特性。如申请专利范围第11项之薄膜电晶体，其中，堆叠该至少两种不同的氧化物材料所形成之复数氧化物层的总堆叠层数为2层至100层之间，且其整体厚度可介于100埃至1000埃之间。如申请专利范围第11项之薄膜电晶体，其中，系依序堆叠该至少两种不同的氧化物材料所形成之复数氧化物层。如申请专利范围第11项之薄膜电晶体，复包括设置于该绝缘介电层及通道层之间的绝缘介面层。如申请专利范围第15项之薄膜电晶体，其中，该绝缘介面层系包括氧化镓、氧化矽、氧化铝或氧化钛之至少一者或其混合物。如申请专利范围第15项之薄膜电晶体，其中，该绝缘介面层之厚度小于40埃。如申请专利范围第11项之薄膜电晶体，其中，该至少两种不同的氧化物材料系选自氧化铟与氧化镓之组合、氧化锡与氧化镓之组合、氧化锌与氧化镓之组合以及氧化铟与氧化锌之组合的其中一者。如申请专利范围第11项之薄膜电晶体，其中，该两个氧化物层之其中一层的厚度介于5埃至100埃之间，而另一层的厚度介于0.1埃至100埃之间。如申请专利范围第11项之薄膜电晶体，其中，该复数氧化物层之氧化物材料系选自氧化铟、氧化镓、氧化锡、氧化锌、氧化铝及氧化铜之至少一者。 |
