发明名称 Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher und Verfahren zum Erfassen mangelhafter Zellen in diesem
摘要 Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher mit: – einem Treiber für eine nichtflüchtige ferroelektrische Speicherzelle, der aus einem oberen Zellenarray (Sub_T) und einem unteren Zellenarray (Sub_B), einem zwischen diesen Arrays ausgebildeten Leseverstärker zum Lesen von Signalen aus diesen Arrays sowie einem Wortleitungstreiber (57) zum Ansteuern einer Wortleitung in diesen Arrays besteht; – einem X-Decodierer (51) zum selektiven Ausgeben eines Wortleitungsdecodiersignals an den Wortleitungstreiber (57); und – einer Impulsbreiten-Erzeugungseinheit (52, 53, 55) zum Variieren der Breite eines Wiederherstellimpulses (PW1) und zum Ausgeben dieser variierten Breite an den Wortleitungstreiber (57), um eine mangelhafte Zelle in den genannten Arrays (Sub_T, Sub_B) zu erkennen, wobei die Impulsbreiten-Erzeugungseinheit einen ersten und einen zweiten Schaltsignalgenerator (52, 53) zum Ausgeben von Schaltsteuersignalen (SWC1, SWC2) zum Variieren der Breite des Wiederherstellimpulses (PW1) sowie eine Impulsbreitensteuerung (55) zum selektiven Empfangen der Schaltsteuersignale nerators (52, 53) zum Variieren des Wiederherstellimpulses (PW1) mit drei unterschiedlichen...
申请公布号 DE10129263(B4) 申请公布日期 2012.12.20
申请号 DE20011029263 申请日期 2001.06.18
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. 发明人 KNAG, HEE BOK
分类号 G01R31/28;G11C11/22;G11C8/08;G11C29/00;G11C29/04;G11C29/12;G11C29/34;H01L21/822;H01L21/8246;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/105 主分类号 G01R31/28
代理机构 代理人
主权项
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