发明名称 |
Verfahren für eine gesteuerte Entfernung einer Halbleiterelementschicht von einem Grundsubstrat |
摘要 |
Ein Verfahren zum Entfernen einer Halbleiterelementschicht von einem Grundsubstrat wird bereitgestellt, das das Bereitstellen einer Rissausbreitungsschicht auf einer oberen Fläche eines Grundsubstrats beinhaltet. Eine Halbleiterelementschicht mit mindestens einem Halbleiterelement wird auf der Rissausbreitungsschicht gebildet. Als Nächstes werden Endabschnitte der Rissausbreitungsschicht geätzt, um einen Riss in der Rissausbreitungsschicht auszulösen. Die geätzte Rissausbreitungsschicht wird anschließend gespalten, um einer Oberfläche der Halbleiterelementschicht einen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht und der oberen Fläche des Grundsubstrats einen anderen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht bereitzustellen. Der gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der Oberfläche der Halbleiterelementschicht entfernt und der andere gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der oberen Fläche des Grundsubstrats entfernt.
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申请公布号 |
DE102012209891(A1) |
申请公布日期 |
2012.12.20 |
申请号 |
DE201210209891 |
申请日期 |
2012.06.13 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
BEDELL, STEPHEN W.;CHENG, CHENG-WEI;SADANA, DEVENDRA K.;SHIU, KUEN-TING;SOSA CORTES, NORMA E. |
分类号 |
H01L21/304;H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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