背面接触形成

摘要

提供了一种半导体及其形成方法，该半导体包括衬底以及形成在衬底上的多个布线层和多个电介质层，布线层实现电路。电介质层将所述多个布线层中相邻的布线层隔开。第一钝化层形成在所述多个布线层上。第一接触焊盘形成在钝化层中，并且电耦合至电路。布线形成在钝化层上，并且连接至接触焊盘。贯穿硅通道(TSV)贯穿衬底、所述多个布线层、所述多个电介质层、以及钝化层而形成。TSV电连接至形成于钝化层上的布线。除了形成在钝化层上的金属布线所提供的连接以外，TSV与布线层电隔离。

主权项

一种半导体，包括：衬底；多个布线层和多个电介质层，所述多个布线层和所述多个电介质层形成在衬底上，电介质层将所述多个布线层中相邻的布线层隔开，布线层实现电路；第一钝化层，形成在所述多个布线层上；第一接触焊盘，形成在钝化层中，并且电耦合至电路；布线，形成在钝化层上，并且连接至接触焊盘；以及贯穿硅通道TSV，贯穿衬底、所述多个布线层、所述多个电介质层、以及钝化层而形成，TSV电连接至形成于钝化层上的布线，除了形成在钝化层上的金属布线所提供的连接以外，TSV与布线层电隔离。