包含阻障件抛光停止层的集成电路及其制造方法

摘要

本发明提供一种包含阻障件抛光停止层的集成电路及其制造方法，其中，提供一种用来制作集成电路的方法的实施例，作为集成电路的实施例。在一实施例中，该方法包含在半导体装置上方沉积层间介电层、在该层间介电层上方沉积阻障件抛光终止层以及图案化至少该阻障件抛光终止层及该层间介电层，以在其中创造多个蚀刻特征。铜是镀覆在该阻障件抛光终止层上方并且进入该多个蚀刻特征中，以产生上覆该阻障件抛光终止层的铜过载，及在该层间介电层及阻障抛光终止层中产生多个导电互连特征。抛光该集成电路，以去除该铜过载，并暴露该阻障件抛光终止层。

主权项

一种用于制造集成电路的方法，包含：在半导体装置上方沉积层间介电层；在该层间介电层上方沉积阻障件抛光终止层；图案化至少该阻障件抛光终止层及该层间介电层，以在其中创造多个蚀刻特征；在该阻障件抛光终止层上方镀覆进入该多个蚀刻特征的金属，以产生上覆该阻障件抛光终止层的金属过载、及在该层间介电层及阻障件抛光终止层中产生多个导电互连特征；以及抛光该集成电路，以去除该金属过载及暴露该阻障件抛光终止层。