发明名称 |
一种双位NROM存储器及提高其电子注入效率的方法和结构 |
摘要 |
本发明公开了一种提高双位存储NROM电子注入效率的方法,其中,包括以下步骤:制备具有两个凸面的衬底;在衬底上依次形成带有凸面结构的隧穿介质层、存储电荷层、阻挡氧化层;在阻挡氧化层上制备多晶硅;在衬底上进行刻蚀工艺,去除衬底上多余的所多晶硅、阻挡氧化层、存储电荷层和所述隧穿介质层;在衬底的两侧形成源极和漏极,并在源极和漏极上形成侧墙。本发明还包括一种提高NROM存储器电子注入效率的结构,该结构包括上述方法制成的结构;本发明还包括一种双位存储NROM存储器,其包括上述的提高NROM存储器电子注入效率的结构。热电子在凸面区域就可以注入存储电荷层,减少漏极或源极的强电场对热电子的影响,从而提高了热电子的注入效率。 |
申请公布号 |
CN102832136A |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN201210333706.0 |
申请日期 |
2012.09.11 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
田志;顾经纶 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
竺路玲 |
主权项 |
一种提高双位存储NROM电子注入效率的方法,其特征在于,包括以下步骤:制备一具有两个凸面的衬底;在所述衬底的表面依次形成隧穿介质层、存储电荷层、阻挡氧化层,所述隧穿介质层、所述存储电荷层和所述阻挡氧化层的表面为凸面结构;在所述阻挡氧化层上表面制备多晶硅;在所述衬底上进行刻蚀工艺,去除所述衬底上多余的所述多晶硅、所述阻挡氧化层、所述存储电荷层和所述隧穿介质层;在所述衬底的两侧形成源极和漏极,并在所述源极和所述漏极上形成侧墙。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |