| 发明名称 | 一种用于测试SiNx绝缘层的MIM结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种用于测试SiNx绝缘层的MIM结构的制造方法。该制造方法，包括下述步骤：步骤1、玻璃衬底的清洗；步骤2、制作下电极；步骤3、制作栅绝缘层；步骤4、制作上电极图形。通过对测试SiNx绝缘层的MIM结构的制造，能够准确快速的检测出SiNx绝缘层，以及SiNx绝缘层的介电性能，为薄膜晶体管(TFT)及其栅绝缘层的性能提供了准确工作的依据。 | ||
| 申请公布号 | CN102832103A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201110267139.9 | 申请日期 | 2011.09.09 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 王彬 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人 | 曹津燕 |
| 主权项 | 一种用于测试SiNx绝缘层的MIM结构的制造方法，包括下述步骤：步骤1、玻璃衬底的清洗；步骤2、制作下电极；步骤3、制作栅绝缘层；步骤4、制作上电极图形。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山工业园北园中路11号 | ||