| 发明名称 | 纳米线制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米线制造方法，包括：在衬底上依次形成第一垫氧层、硅层、第二垫氧层、牺牲层和盖层的堆叠；刻蚀所述盖层和牺牲层以形成牺牲层开口，直至露出所述第二垫氧层；在所述牺牲层开口中以及所述牺牲层上形成第二盖层；各向异性刻蚀所述第二盖层以形成纳米侧墙图形；以及以所述纳米侧墙图形为掩模，各向异性刻蚀所述硅层以形成硅纳米线。依照本发明的纳米线制造方法，利用牺牲层将其侧壁的盖层图形转移到下方的结构上，也即采用了侧墙转移光刻技术，无需昂贵的光刻设备且与主流CMOS技术兼容因而大幅度降低了制造成本，此外能很好地控制硅纳米线的尺寸和均匀性，从而可以得到10nm以下小尺寸的硅纳米线。 | ||
| 申请公布号 | CN102826504A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201110159421.5 | 申请日期 | 2011.06.14 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种纳米线制造方法，包括：在衬底上依次形成第一垫氧层、硅层、第二垫氧层、牺牲层和盖层的堆叠；刻蚀所述盖层和牺牲层以形成牺牲层开口，直至露出所述第二垫氧层；在所述牺牲层开口中以及所述牺牲层上形成第二盖层；各向异性刻蚀所述第二盖层以形成纳米侧墙图形；以及以所述纳米侧墙图形为掩模，各向异性刻蚀所述硅层以形成硅纳米线。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||