| 发明名称 | 一种多阻态忆阻器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种多阻态忆阻器，包括:自下而上依次生成的底电极层、阻变层、顶电极层，其中底电极层和顶电极层用于与外部电源进行电连接，阻变层用于实现多阻态之间的转换；使多阻态忆阻器工作在单、双极两种操作方式下，不同阻值间的变化由顶电极上所加电压激励的方向和大小控制；通过本发明解决了多值存储中多阻态的稳定性和一致性问题，满足了多值存储的需要。 | ||
| 申请公布号 | CN102832343A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201210348359.9 | 申请日期 | 2012.09.18 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 刘力锋;后羿;陈冰;李悦;于迪;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种多阻态忆阻器，其特征在于，包括:自下而上依次形成的底电极层、阻变层和顶电极层；其中，所述顶电极层和所述底电极层，用于与外部电源进行电连接；所述阻变层，用于实现多阻态之间的转换。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||