一种沟槽优先铜互连制作方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域铜互连大马士革制造工艺，尤其涉及一种沟槽优先铜互连制作方法。本发明一种沟槽优先铜互连制作方法通过曝光和显影在可形成硬模的光刻胶中形成金属槽和通孔结构，再通过一次性刻蚀金属槽和通孔结构，形成金属互连线。替代了把金属槽刻蚀和通孔刻蚀分为两个独立步骤的现有工艺，有效地减少了双大马士革金属互连线工艺中的刻蚀步骤，提高产能、减少制作成本。

主权项

一种沟槽优先铜互连制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在一衬底硅片上沉积一介质层；S2：在所述介质层上涂布第一光刻胶；S3：曝光、显影后，去除部分所述第一光刻胶至所述介质层的上表面，于剩余第一光刻胶中形成第一金属槽结构；S4：涂布固化材料覆盖所述剩余第一光刻胶的上表面和所述第一金属槽结构的底部及其侧壁；S5：加热所述固化材料，去除多余固化材料后，于所述剩余第一光刻胶的表面形成隔离膜； S6：涂布第二光刻胶充满固化工艺后的所述第一金属槽结构并覆盖所述隔离膜的上表面；S7：曝光、显影后，去除部分所述第二光刻胶至所述介质层的上表面，在位于所述第一金属沟槽结构上方的剩余第二光刻胶中形成通孔结构；S8：以所述剩余第二光刻胶为掩膜，刻蚀所述介质层至所述衬底硅片的上表面，去除所述剩余第二光刻胶，形成第一通孔；去除所述隔离膜后，以所述剩余第一光刻胶为掩膜，继续刻蚀部分所述剩余介质层，去除所述剩余第一光刻胶，形成第一金属槽；  S9：在所述第一通孔和所述第一金属槽内填充金属材料，形成通孔金属和导线金属。