发明名称 |
一种荧光标识聚醚羧酸酯缓蚀阻垢剂及其制备方法 |
摘要 |
一种荧光标识聚醚羧酸酯缓蚀阻垢剂是以聚醚羧酸酯反应单体与含乙烯基不饱和双键的单体以及含不饱和双键的荧光单体进行自由基共聚后而得,其结构通式如下:<img file="dda00001959345700011.GIF" wi="1490" he="353" />,其中:A是含乙烯基不饱和双键的单体聚合后的重复结构单元,B是含不饱和双键的荧光单体聚合后的重复结构单元,R是H或C<sub>1</sub>~C<sub>5</sub>低碳烷基。聚合度x为1~5000,聚合度y为1~5000,聚合度z为1~5000,重复单元数m为1~100。 |
申请公布号 |
CN102826664A |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN201210269355.1 |
申请日期 |
2012.08.01 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
周钰明;刘广卿;黄镜怡;姚清照;凌磊;王虎传;曹科;刘亚辉;吴文导;孙伟 |
分类号 |
C02F5/10(2006.01)I;C08F283/06(2006.01)I |
主分类号 |
C02F5/10(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
柏尚春 |
主权项 |
1.一种荧光标识聚醚羧酸酯缓蚀阻垢剂,其特征在于该缓蚀阻垢剂是以聚醚羧酸酯反应单体与含乙烯基不饱和双键的单体以及含不饱和双键的荧光单体进行自由基共聚后而得,其结构通式如下:<img file="FDA00001959345500011.GIF" wi="1490" he="352" />其中:A是含乙烯基不饱和双键的单体聚合后的重复结构单元,B是含不饱和双键的荧光单体聚合后的重复结构单元,R是H或C<sub>1</sub>~C<sub>5</sub>低碳烷基;聚合度x为1~5000,聚合度y为1~5000,聚合度z为1~5000,重复单元数m为1~100。 |
地址 |
210033 江苏省南京市栖霞区西岗办事处摄山星城齐民东路8号 |