发明名称 |
碳/碳-碳化硅-碳化锆梯度复合材料的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种碳/碳-碳化硅-碳化锆梯度复合材料的制备方法,其目的是解决现有方法制备的ZrC陶瓷基复合材料低温抗氧化性能差的技术问题。技术方案是采用硅锆合金熔体浸渗的制备方法制备C/C-SiC-ZrC梯度复合材料。提高了ZrC陶瓷基复合材料的低温抗氧化性能,还增加了C/C-SiC-ZrC梯度复合材料的厚度,降低制备成本。所制备的C/C-SiC-ZrC梯度复合材料室温抗弯强度由现有技术的107MPa提高到180~205MPa。<pb pnum="1" /> |
申请公布号 |
CN106507786B |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN201010048445.9 |
申请日期 |
2010.04.22 |
申请人 |
西北工业大学 |
发明人 |
王一光;成来飞;张立同;朱晓娟 |
分类号 |
C04B35/622(2006.01)I;C04B35/52(2006.01)I;C04B35/83(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/622(2006.01)I |
代理机构 |
西北工业大学专利中心 61204 |
代理人 |
王鲜凯 |
主权项 |
一种碳/碳‑碳化硅‑碳化锆梯度复合材料的制备方法,其特征在于包括下述步骤:(a)将碳纤维编织成预制体;(b)采用化学气相渗透或聚合物浸渍裂解方法在预制体上沉积碳,制成C/C复合材料;(c)将制得的C/C复合材料打磨抛光后用蒸馏水超声波洗至少20分钟,60~150℃烘干;(d)将硅锆合金装入球磨罐中在转速90~140rad/min下球磨30~90分钟后成包埋料;(e)采用硅锆合金粉末包埋料将经过步骤(c)处理的C/C复合材料后放入高温炉中,在400~600ml/min氩气保护下,以5~10℃/min的速度升温至1500~1900℃,保温15~120分钟,关闭电源自然冷却至室温,制得C/C‑SiC‑ZrC梯度复合材料。 |
地址 |
710072 陕西省西安市友谊西路127号 |