| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法和电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了薄膜晶体管及其制造方法和电子装置，该薄膜晶体管包括：有机半导体层，由含有至少能与蚀刻气体反应的金属元素和半金属元素的至少一种的含金属材料形成；彼此间隔开的源电极和漏电极；以及有机导电层，介于有机半导体层与源电极和漏电极之间的有机半导体层与源电极和漏电极的重叠区域中，并且有机导电层由不含有能与蚀刻气体反应的金属材料或半金属材料的至少一种的非含金属材料形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102832345A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201210184596.6 | 申请日期 | 2012.06.06 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 胜原真央 |
| 分类号 | H01L51/10(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：有机半导体层，由含有能与蚀刻气体反应的金属元素和半金属元素中的至少一个的含金属材料形成；彼此间隔开的源电极和漏电极；以及有机导电层，介于所述有机半导体层与所述源电极和漏电极之间的所述有机半导体层与所述源电极和所述漏电极重叠的区域中，并且由不含能与所述蚀刻气体反应的金属元素和半金属元素中的至少一个的非含金属材料形成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||