发明名称 单晶硅区熔拉伸炉控制系统
摘要 本发明公开一种单晶硅区熔拉伸炉控制系统,包括:上轴旋转速度检测装置,上轴送料速度检测装置,下轴旋转速度检测装置,下轴拉伸速度检测装置,炉膛温度检测装置,炉膛气压检测装置,数据采集模块,存储器,处理器,控制信号输出模块,上轴旋转速度控制器,上轴送料速度控制器,下轴旋转速度控制器,下轴拉伸速度控制器,炉膛温度控制器,炉膛气压控制器,通过联动控制上轴送料速度、下轴拉伸速度、上下轴旋转速度、炉膛温度、炉膛惰性气体充气压力,使拉伸出的单晶硅棒的直径、圆度符合设计要求。
申请公布号 CN102828233A 申请公布日期 2012.12.19
申请号 CN201210292435.9 申请日期 2012.08.17
申请人 德阳瑞能电力科技有限公司 发明人 李杰;陆晓阳
分类号 C30B13/28(2006.01)I 主分类号 C30B13/28(2006.01)I
代理机构 成都蓉信三星专利事务所 51106 代理人 刘克勤
主权项 一种单晶硅区熔拉伸炉控制系统,包括:上轴旋转速度检测装置,用于检测上轴旋转速度;上轴送料速度检测装置,用于检测上轴位移速度;下轴旋转速度检测装置,用于检测下轴旋转速度;下轴拉伸速度检测装置,用于检测下轴位移速度;炉膛温度检测装置,用于检测炉膛温度;炉膛气压检测装置,用于检测炉膛惰性气体充气压力;数据采集模块,用于将上述检测装置获得的信号转换成数字信号;存储器,用于存储信号数据、控制参数设定值及信号处理计算模型;中央处理器,用于处理上述检测信号,输出控制信号;控制信号输出模块,用于输出控制信号,将数字控制信号转换成模拟信号;上轴旋转速度控制器,用于控制上轴旋转电机的速度;上轴送料速度控制器,用于控制上轴送料电机的速度;下轴旋转速度控制器,用于控制下轴旋转电机的速度;下轴拉伸速度控制器,用于控制下轴拉伸电机的速度;炉膛温度控制器,用于控制感应加热器的功率;炉膛气压控制器,用于控制惰性气体的充气压力;所述中央处理器将上轴旋转速度信号数据与其设定值进行比较,向上轴旋转速度控制器输出控制信号,控制上轴旋转电机的速度;将上轴送料速度信号数据与其设定值进行比较,向上轴送料速度控制器输出控制信号,控制上轴送料电机的速度;将下轴旋转速度信号数据与其设定值进行比较,向下轴旋转速度控制器输出控制信号,控制下轴旋转电机的速度;将下轴拉伸速度信号数据与其设定值进行比较,向下轴拉伸速度控制器输出控制信号,控制下轴拉伸电机的速度;将炉膛温度信号数据与其设定值进行比较,向炉膛温度控制器输出控制信号,控制感应加热器的功率;将炉膛气压信号数据与其设定值进行比较,向炉膛气压控制器输出控制信号,控制惰性气体充气阀的开度。
地址 618000 四川省德阳市旌阳工业集中发展区天武路以东