发明名称 |
用于源安装封装的可焊接的顶部金属化和钝化 |
摘要 |
一个位于半导体芯片上的含银可焊接触点具有其与一环氧钝化层的面对面边缘间隔开的外边缘,因此,在焊接之后,没有银离子存在,且不会自由迁移到所述环氧层之下而形成枝状结晶。 |
申请公布号 |
CN1734755B |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN200510053769.0 |
申请日期 |
2005.03.11 |
申请人 |
国际整流器公司 |
发明人 |
M·施坦丁;A·索勒;M·P·埃尔温;D·P·琼斯;M·卡罗尔;I·G·瓦格斯塔夫 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:用于半导体芯片的可焊接触点,所述可焊接触点包括一个设置在半导体芯片的表面之上的含银层;一个形成在所述表面上且与所述可焊接触点共面的钝化层;所述钝化层具有第一层和下面的第二层;所述钝化层的所述第一层和所述可焊接触点具有由一个间隔隔开的面对面的边缘;所述下面的第二层延伸跨越和在所述间隔之下,并由所述可焊接触点的所述边缘搭接;该间隔的宽度是保证没有银被封装在所述钝化层的所述第一层之下所需的宽度,且在焊接期间所有的银触点暴露给合金化过程。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |