| 摘要 |
<p>이온 빔 각 처리 제어를 위한 기술이 기재된다. 한 특정 실시예에서, 본 기술은 이온 주입기 시스템의 이온 빔 각 처리 제어를 위한 방법으로서 구현될 수 있다. 본 방법은 기판 표면에 하나 또는 그 이상의 이온 빔들을 유도하는 단계를 포함할 수 있다. 방법은 또한 하나 또는 그 이상의 이온 빔들이 기판 표면을 타격하는 입사각들의 평균 확산을 판단하는 단계를 포함할 수 있다. 방법은 이온 빔 입사각들의 원하는 확산을 생성하기 위해 입사각들의 평균 확산에 적어도 부분적으로 기초하여 하나 또는 그 이상의 이온 빔들을 조정하는 단계를 더 포함할 수 있다.</p> |
