| 摘要 |
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO. Aqui é divulgado um transistor de efeito de campo compreendendo um canal de um material semicondutor de óxido incluindo In e Zn. A proporção de composição atómica expressa por In (In + Zn) não é menos do que 35% atómica e não mais do que 55% atómica. Ga não é incluindo no material semicondutor de óxido ou na proporção de composição atómica expressa por Ga (In-Zn +Ga) é configurada para ser 30% atómica ou mais baixa quando Ga é incluído nela. O transistor tem melhorado o valor de S e a mabilidade do efeito de campo. |
