Programmable metallization memory cells via selective channel forming,申请号US20100761899-传众专利搜索

发明名称	Programmable metallization memory cells via selective channel forming
摘要	Methods for making a programmable metallization memory cell are disclosed.
申请公布号	US8334165(B2)	申请公布日期	2012.12.18
申请号	US20100761899	申请日期	2010.04.16
申请人	XI HAIWEN;SUN MING;WANG DEXIN;HUANG SHUIYUAN;TANG MICHAEL;XUE SONG S.;SEAGATE TECHNOLOGY LLC	发明人	XI HAIWEN;SUN MING;WANG DEXIN;HUANG SHUIYUAN;TANG MICHAEL;XUE SONG S.
分类号	H01L21/00	主分类号	H01L21/00
代理机构		代理人
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