| 摘要 |
<p>탄화규소로 이루어지는 기판 상에 결함 밀도가 저감된 활성층이 형성된 탄화규소 반도체 장치 및 그 제조 방법을 얻을 수 있다. 반도체 장치(1)는, 면방위 {0001}에 대하여 오프각이 50°이상 65°이하인, 탄화규소로 이루어지는 기판(2)과, 버퍼층(21)과, 활성층으로서의 에피택셜층(3), p형층(4), 및 n영역(5, 6)을 구비한다. 버퍼층(21)은, 기판(2) 상에 형성되며, 탄화규소로 이루어진다. 활성층은, 버퍼층(21) 상에 형성되며, 탄화규소로 이루어진다. 활성층에서의 마이크로파이프 밀도는 기판(2)에서의 마이크로파이프 밀도보다 낮다. 또한, 활성층에서의, 버거스 벡터의 방향이 [0001]인 전위의 밀도는, 기판(2)에서의 상기 전위의 밀도보다 높다. 상기 버퍼층을 형성하는 공정(S20)에서의 성막 조건에서는, 상기 버퍼층(21)을 형성하기 위한 원료 가스에서의 규소 원자에 대한 탄소 원자의 비율인 C/Si비의 값이, 상기 활성층(3～6)을 형성하는 공정(S30)에서의 C/Si비의 값보다 작아지도록, 상기 원료 가스의 조성 및 유량이 결정되어 있다.</p> |
