发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 A semiconductor device includes, on a semiconductor substrate, a gate insulating film, a pMIS metal material or an nMIS metal material, a gate electrode material, and a gate sidewall metal layer.
申请公布号 US2012313188(A1) 申请公布日期 2012.12.13
申请号 US201213589762 申请日期 2012.08.20
申请人 KANEGAE KENSHI;PANASONIC CORPORATION 发明人 KANEGAE KENSHI
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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