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Leistungshalbleitermodul, bei dem eine Oberfläche des Leistungshalbleiterchips (104) und ein externes Schaltungsmuster durch Aluminiumdraht verbunden sind, und der mit einem Epoxydharz (101, 1001, 1002, 1202) vergossen ist, wobei der Leistungshalbleiterchip (104), das externe Schaltungsmuster und der Aluminiumdraht insgesamt von dem Epoxydharz überdeckt sind, worin der Drahtdurchmesser des Aluminiumdrahtes maximal 0,5 mm und minimal 0,3 mm beträgt, wobei der Koeffizient der mittleren linearen Ausdehnung des Epoxydharzes (101, 1001, 1002, 1202) in einem Nenntemperaturbereich eines Moduls von 15–20 ppm/K beträgt, und der Elastizitätsmodul des Epoxydharzes (101, 1001, 1002, 1202) größer als 3 GPa und gleich oder niedriger als 20 GPa ist, wobei der Koeffizient der mittleren linearen Ausdehnung des Epoxydharzes (101, 1001, 1002, 1202) in der Nachbarschaft des Leistungshalbleiterchips (104) geringer ist als der Koeffizient der mittleren linearen Ausdehnung des Epoxydharzes (101, 1001, 1002, 1202) von der Nachbarschaft des Leistungshalbleiterchips (104) zu der Vergussoberfläche, und wobei der Gehalt... |
