沟槽型双层栅MOS器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS器件的制备方法，包括如下：在沟槽刻蚀形成之后，进行垂直的离子注入在沟槽下方的外延层内形成具有第一导电类型的第一阱区，第一导电类型与所述MOS器件的外延层导电类型相反；在制备两层栅之间的氧化层时，采用热氧化法生长氧化层；而在接触孔刻蚀形成之后，在接触孔下方进行离子注入，在接触孔下方形成具有第一导电类型的第二阱区，第二阱区延伸到外延层中，第二阱区的深度深于后续在所述沟槽中形成的上层栅在外延层内的深度。

主权项

一种沟槽型双层栅MOS器件的制备方法，其特征在于：在所述MOS器件的沟槽刻蚀形成之后，进行垂直的离子注入在所述沟槽下方的外延层内形成具有第一导电类型的第一阱区，所述第一导电类型与所述MOS器件的外延层导电类型相反；在所述沟槽中形成双层栅，所述双层栅包括下层栅和上层栅，所述下层栅和所述上层栅都由多晶硅组成，所述下层栅和所述上层栅之间隔离有氧化层，所述下层栅和其周侧的所述外延层之间隔离有氧化层；所述上层栅为开关电极，用于控制沟道的开关；所述下层栅为屏蔽电极，用于将所述上层栅和漏区隔离；所述第一阱区位于所述下层栅底部并和所述下层栅隔离有氧化层；在制备双层栅之间的氧化层时，采用热氧化法生长所述氧化层；而在接触孔刻蚀形成之后，在接触孔下方进行离子注入，在接触孔下方形成具有第一导电类型的第二阱区，所述第二阱区延伸到所述外延层中，所述第二阱区的深度深于后续在所述沟槽中形成的上层栅在外延层内的深度；在所述接触孔上端形成源极金属，所述第二阱区通过所述接触孔和所述源极金属连接。