多位非挥发存储器及其操作方法和形成方法

摘要

本发明提供一种多位非挥发存储器及其操作方法和形成方法，该存储器包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的沟槽；形成在半导体衬底上且位于所述沟槽两侧的源区和漏区，所述源区和漏区的材料包括禁带宽度小于硅的半导体材料；和形成在所述源区和漏区之间以及所述沟槽内的栅结构，所述栅结构包括：形成在所述源区和漏区侧壁以及所述沟槽内壁的隧穿介质层、形成在所述隧穿介质层上的电荷俘获层、形成在所述电荷俘获层上的阻挡介质层、形成在所述阻挡介质层上的栅极。根据本发明实施例的非挥发存储器，具有编程功耗低、编程窗口大、两位比特间无干扰、编程速度快效率高、器件的操作可靠性高的优点。

主权项

一种多位非挥发存储器，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的源区和漏区，所述源区和漏区的材料包括禁带宽度小于所述半导体衬底的半导体材料；形成在所述半导体衬底中且位于所述源区和漏区之间的沟槽；和形成在所述沟槽内的栅结构，所述栅结构包括：形成在所述沟槽内壁的隧穿介质层、形成在所述隧穿介质层上的电荷俘获层、形成在所述电荷俘获层上的阻挡介质层、形成在所述阻挡介质层上的栅极。