发明名称 |
一种四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的方法,包括如下步骤:a)将硅粉与催化剂进行混合,得到混合物料;b)在氢气气氛下对混合物料进行脱水;c)将氢气与四氯化硅进行混合,得到第一混合气体;d)将第一混合气体加热至450~550℃;e)使混合物料与第一混合气体在450~500℃的条件下进行反应,得到第二混合气体;f)将第二混合气体经过气体过滤装置进行收尘、过滤;g)将经过收尘、过滤的第二混合气体冷凝,得到氢气和氯硅烷;h)将氯硅烷进行分离提纯,得到三氯氢硅。根据本发明的制备方法,采用铜镍合金作为催化剂,反应之前不需要高温预活化,反应结束后可以直接排渣,不会对环境造成污染。 |
申请公布号 |
CN102815709A |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN201210285444.5 |
申请日期 |
2012.08.10 |
申请人 |
中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司 |
发明人 |
万烨;严大洲;毋克力;肖荣晖;汤传斌 |
分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
宋合成;黄德海 |
主权项 |
一种四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的方法,其特征在于,包括如下步骤:a)将硅粉与催化剂进行混合,得到混合物料,其中,所述催化剂为铜镍合金,所述铜镍合金中的镍的质量含量为10~35%;b)在氢气气氛下对所述混合物料进行脱水;c)将氢气与四氯化硅以摩尔比2~5:1的比例进行混合,气相压力控制在1~2.5M,得到第一混合气体;d)将所述第一混合气体加热至450~550℃;e)使所述混合物料与所述第一混合气体在450~500℃的条件下进行反应,得到第二混合气体;f)将所述第二混合气体经过气体过滤装置进行收尘、过滤,其中所述气体过滤装置内设有陶瓷滤芯;g)将经过收尘、过滤的第二混合气体冷凝,得到氢气和氯硅烷;h)将所述氯硅烷进行分离提纯,得到三氯氢硅。 |
地址 |
100038 北京市海淀区复兴路12号 |