一种三多晶应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种三多晶应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法,首先制备SOI衬底，刻蚀双极器件区域，在该区域制备三多晶SiGe HBT器件，接着光刻MOS有源区，在该区域连续生长Si缓冲层、应变SiGe层、本征Si层，分别形成NMOS和PMOS器件有源区，在MOS器件有源区淀积SiO2和多晶硅，通过刻蚀制备伪栅，采用自对准工艺形成MOS器件的轻掺杂源漏和源漏，然后去除伪栅，制备形成栅介质氧化镧和金属钨形成栅极，最后金属化，光刻引线制成集成器件及电路。本发明的制备过程采用自对准工艺，MOS结构中采用了轻掺杂源漏结构，有效地抑制了热载流子对器件性能的影响，提高了器件的可靠性。

主权项

一种三多晶应变SiGe BiCMOS集成器件，其特征在于，所述集成器件的双极器件为三多晶SiGe HBT器件，应变SiGe平面沟道NMOS器件和应变SiGe平面沟道PMOS器。