纳米碳化硅/晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米碳化硅/晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管及其制备方法，包括单晶碳化硅(4H-SiC)基片、分别沉积于4H-SiC基片两侧的数纳米nc-Si超薄层、P和N型梯度掺杂多层nc-SiC薄膜(4H-SiC型)、沉积于外层nc-SiC薄膜上的合金欧姆电极，所述梯度掺杂nc-SiC多层膜、4H-SiC基片与合金欧姆电极构成电极/nc-SiC/4H-SiC/nc-SiC/电极双缓变结构。本发明的有益效果是，比较过去其它方法制成的FRD，其反向击穿电压提高了约500V，增强了耐压能力；反向恢复时间缩短至100nS，容易实现快速开关；反向恢复时浪涌电流非常小，减少了损耗和电磁干扰。

主权项

一种纳米碳化硅/晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管，其特征在于：包括N‑型c‑SiC基片、分别沉积于N‑型c‑SiC基片两侧的两片纳米硅nc‑Si超薄膜、分别设置于两片nc‑Si超薄膜外侧的P型掺杂递增纳米碳化硅多层薄膜和N型掺杂递增nc‑SiC多层薄膜，以及分别设置于P型掺杂递增nc‑SiC多层薄膜和N型掺杂递增nc‑SiC多层薄膜外侧的二个合金欧姆电极；该P型掺杂递增nc‑SiC多层薄膜和N型掺杂递增nc‑SiC多层薄膜的掺杂递增方向为靠近N‑型c‑SiC基片的最内层向最外层递增；所述合金欧姆电极、P型掺杂递增nc‑SiC多层薄膜、nc‑Si超薄膜、N‑型c‑SiC基片、nc‑Si超薄膜、N型掺杂递增nc‑SiC多层薄膜和欧姆电极形成电极/(P+P)nc‑SiC多层膜/(N‑)c‑SiC/(NN+) nc‑SiC多层膜/电极型双缓变结快速恢复二极管。