发明名称 |
固态成像装置 |
摘要 |
本发明提供一种固态成像装置,该固态成像装置包括:像素区域,所述像素区域具有以矩阵形式设置在其中的单位单元,所述单位单元包含多个转换部件、放大来自多个转换部件的信号的放大晶体管、将放大晶体管的输入部分的电势设为复位电势的复位晶体管、和与放大晶体管串联连接并选择和读取放大的信号的选择晶体管;和设置在像素区域内的阱接触区。阱接触区中的每一个与复位晶体管的漏极区相邻,并且,复位晶体管的漏极区具有比选择晶体管的源极区和漏极区中的杂质浓度低的杂质浓度。 |
申请公布号 |
CN101931759B |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN201010209520.5 |
申请日期 |
2010.06.21 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
酒井诚一郎;有岛优 |
分类号 |
H04N5/335(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H04N5/335(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
李颖 |
主权项 |
一种固态成像装置,包括:像素区域,所述像素区域具有以矩阵形式设置在其中的单位单元,所述单位单元包含多个转换部件、基于在所述多个转换部件中出现的信号电荷来放大信号的放大晶体管、将放大晶体管的输入部分的电势设为复位电势的复位晶体管、和与放大晶体管串联连接并选择和读取放大的信号的选择晶体管;和多个阱接触区,所述多个阱接触区被设置在像素区域内并向提供放大晶体管、复位晶体管和选择晶体管的沟道部分的阱供给基准电压,其中,所述阱接触区中的每一个通过隔离区与复位晶体管的漏极区相邻,所述隔离区在该隔离区下面具有沟道停止区,并且,所述复位晶体管的源极区和漏极区中的至少一个具有比选择晶体管的源极区和漏极区中的杂质浓度低的杂质浓度。 |
地址 |
日本东京 |