| 发明名称 | 鳍式场效晶体管结构与形成鳍式场效晶体管结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种鳍式场效晶体管结构与形成鳍式场效晶体管结构的方法。鳍式场效晶体管结构包含基材、鳍式结构、绝缘层与栅极结构。鳍式结构位于基材上并与基材直接相连，同时，鳍式结构包含鳍式导体层与瓶颈部。绝缘层覆盖基材，并具有部分围绕鳍式结构的瓶颈部而形成的一凸出侧面，以及与基材直接接触的底面，使得凸出侧面延伸至鳍式结构下方。栅极结构部分包围鳍式结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102820334A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201110151663.X | 申请日期 | 2011.06.08 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄瑞民;戴圣辉;蔡振华;廖端泉;陈益坤;朱晓忠 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种鳍式场效晶体管结构，包含：基材；绝缘层，其覆盖该基材，并具有顶面以及与该基材直接接触的底面，其中该顶面与该底面的至少一者不平坦；鳍式结构，其位于该绝缘层上，并包含一鳍式导体层与一组源极/漏极；以及栅极结构，其部分包围该鳍式结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||