发明名称 一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器
摘要 本发明公开一种基于Rashba效应的磁性随机存取存储器单元,包括磁性多层膜存储单元和写位线,其特征在于,所述磁性多层膜存储单元自下而上依次包括衬底、非磁性层、核心功能层区和覆盖层;所述核心功能层区自下而上依次包括下磁性层、中间层和上磁性层;所述写位线与所述非磁性层相连,以使写电流横向流经所述非磁性层并反转所述下磁性层的磁矩,实现数据的写入。本发明还提供具有类似结构的基于Rashba效应的可编程磁逻辑器件和自旋微波振荡器。本发明实现了读写分离,可以有效保护器件在反复高电流密度读写时不易被损坏,可以有效降低写电流密度,增加器件的可操作性;本发明还采用了闭合状几何结构的设计方案,可进一步减小磁场对器件的干扰。
申请公布号 CN101770804B 申请公布日期 2012.12.12
申请号 CN200910076048.X 申请日期 2009.01.06
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 陈军养;刘东屏;温振超;韩秀峰;张曙丰
分类号 G11C11/15(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;H01P7/10(2006.01)I 主分类号 G11C11/15(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人 王勇
主权项 一种磁性随机存取存储器单元,包括磁性多层膜存储单元和写位线,其特征在于,所述磁性多层膜存储单元自下而上依次包括衬底、非磁性层、核心功能层区和覆盖层;所述核心功能层区自下而上依次包括下磁性层、中间层和上磁性层;所述写位线与所述非磁性层相连,以使写电流横向流经所述非磁性层并反转所述下磁性层的磁矩,实现数据的写入。
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