| 发明名称 | 一种多晶硅生产工艺中产生的还原尾气的干法回收系统和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅生产工艺中产生的还原尾气的干法回收系统和方法，所述系统包括：淋洗塔；吸收系统，所述吸收系统用于对淋洗后的还原尾气进行吸收处理，以除去其中的氯硅烷以及氯化氢，得到氢气；吸附装置，所述吸附装置内设有用于对氢气进行吸附处理的吸附剂，以进一步吸附掉氢气中所残存的氯硅烷和氯化氢；和第一过滤装置，所述第一过滤装置用于对经过吸附处理的氢气进行过滤，以得到高纯氢气，其中，所述第一过滤装置内设有陶瓷滤芯。根据本发明的干法回收系统，由于采用设置有陶瓷滤芯的气体过滤装置，该过滤装置具有耐高温，耐腐蚀的优良特性，不会对多晶硅产品质量造成影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102815670A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201210285785.2 | 申请日期 | 2012.08.10 |
| 申请人 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 发明人 | 万烨;严大洲;毋克力;肖荣晖;汤传斌 |
| 分类号 | C01B3/52(2006.01)I;C01B3/56(2006.01)I | 主分类号 | C01B3/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 宋合成;黄德海 |
| 主权项 | 一种多晶硅生产工艺中产生的还原尾气的干法回收系统，其特征在于，包括：淋洗塔，所述淋洗塔用于对还原尾气进行淋洗以除去其中的高氯硅烷和固体杂质；吸收系统，所述吸收系统用于对淋洗后的还原尾气进行吸收处理，以除去其中的氯硅烷和氯化氢，得到氢气；吸附装置，所述吸附装置内设有用于对所述氢气进行吸附处理的吸附剂，以进一步吸附掉氢气中所残存的氯硅烷和氯化氢；和第一过滤装置，所述第一过滤装置用于对经过吸附处理的所述氢气进行过滤，以得到高纯氢气，其中，所述第一过滤装置内设有陶瓷滤芯。 | ||
| 地址 | 100038 北京市海淀区复兴路12号 | ||