| 发明名称 | 利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法 | ||
| 摘要 | 一种利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层；步骤2：在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形；步骤3：选择区域外延生长上分别限制层，使不同的激光器单元具有不同厚度的上分别限制层；步骤4：去掉介质掩膜图形；步骤5：在上分别限制层上大面积制作光栅；步骤6：在光栅7上生长接触层，完成激光器阵列的制备。本发明在获得不同阵列单元不同发光波长的同时对量子阱材料的发光性能不产生影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102820616A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201210319231.X | 申请日期 | 2012.08.31 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 梁松;张灿;朱洪亮;王圩 |
| 分类号 | H01S5/40(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层；步骤2：在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形；步骤3：选择区域外延生长上分别限制层，使不同的激光器单元具有不同厚度的上分别限制层；步骤4：去掉介质掩膜图形；步骤5：在上分别限制层上大面积制作光栅；步骤6：在光栅7上生长接触层，完成激光器阵列的制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||