发明名称 |
一种薄膜晶体管、阵列基板和显示器 |
摘要 |
本实用新型实施例一种薄膜晶体管、阵列基板和显示器,涉及显示器制造领域,能够提高TFT的开态电流、降低TFT的关态电流、增加TFT的阈值电压稳定性,该薄膜晶体管,包括:第一栅极,有源层,以及同层设置的第二栅极、源极和漏极,所述第一栅极和所述有源层之间形成有第一绝缘层,所述源极、漏极和所述有源层之间形成有第二绝缘层;其中,所述源极、漏极分别通过所述第二绝缘层上的第一过孔、第二过孔与所述有源层接触;所述第一栅极和所述第二栅极的位置均与所述有源层相对,且所述第一栅极和第二栅极通过贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层的第三过孔电性连接。本实用新型实施例应用于显示器制造。 |
申请公布号 |
CN202601619U |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN201220007606.4 |
申请日期 |
2012.01.09 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
陈海晶 |
分类号 |
H01L29/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:第一栅极,有源层,以及同层设置的第二栅极、源极和漏极,所述第一栅极和所述有源层之间形成有第一绝缘层,所述源极、漏极和所述有源层之间形成有第二绝缘层;其中,所述源极、漏极分别通过所述第二绝缘层上的第一过孔、第二过孔与所述有源层接触;所述第一栅极和所述第二栅极的位置均与所述有源层相对,且所述第一栅极和第二栅极通过贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层的第三过孔电性连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |