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Procédé de programmation de cellules mémoire dans une mémoire non volatile (M2), comprenant une étape consistant à appliquer une tension de programmation (Vhv) à une première ligne de bit et à mettre une seconde ligne de bit dans un état flottant (FLT). Le procédé comprend également une étape consistant à appliquer une tension de compensation (Vc) à une ligne conductrice écran (CL) couplée à la ligne de bit (BL) mise dans l'état flottant, et mettre dans l'état flottant une ligne conductrice écran (CL) couplée à la ligne de bit (BL) recevant la tension de programmation (Vhv). Application à la réduction du phénomène de programmation parasite de cellules mémoire par couplage capacitif entre lignes de bit.
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