Verfahren zur Beschränkung von Verspannungsschichten, die in der Kontaktebene eines Halbleiterbauelements gebildet sind

摘要

Verfahren mit: Bilden einer verspannungsinduzierenden Schicht (230) über einem ersten Transistor (250a) und einem zweiten Transistor (250b), die in einer Bauteilebene eines Halbleiterbauelements (200) gebildet sind; und Bilden eines Verspannungsentkopplungsgebiets in der verspannungsinduzierenden Schicht (230) zwischen dem ersten und dem zweiten Transistor (250a, 250b), wobei das Verspannungsentkopplungsgebiet sich entlang einer Transistorbreitenrichtung des ersten und des zweiten Transistors (250a, 250b) erstreckt; wobei das Bilden des Verspannungsentkopplungsgebiets (260) umfasst: Bilden einer Ätzmaske (232) auf der verspannungsinduzierenden Schicht (230) durch Bilden eines Maskenmaterials (270) auf der verspannungsinduzierenden Schicht (230) und Entfernen eines Teils des Maskenmaterials (270), so dass ein Teil der verspannungsinduzierenden Schicht (230) freigelegt wird, wobei ein Bereich, der dem Verspannungsentkopplungsgebiet (260) entspricht, bedeckt bleibt, und Ausführen einer Oberflächenbehandlung des freigelegten Teils der verspannungsinduzierenden Schicht (230) in Gegenwart des verbliebenen Teils des Maskenmaterials (270); nachfolgend Entfernen des verbliebenen Teils des Maskenmaterials; und nachfolgend Ätzen (271) der...