发明名称 半导体装置
摘要 本发明涉及半导体装置,目的在于提供能有效利用浪涌电压的能量的技术。半导体装置具有:并联连接体(1),包括在第一和第二连接点(71、72)间并联连接的IGBT(1a)及恢复二极管(1b);第一缓冲器件(SD1),具有IGBT(1a)的耐压以下的钳位电平;第二缓冲器件(SD2),具有向IGBT(1a)的驱动电路(53)提供电力的电力提供部(54)的输出电压以上的钳位电平。第一缓冲器件(SD1)的一个端子经第一连接点(71)与并联连接体(1)的一端连接,第一缓冲器件(SD1)的另一个端子经第三连接点(73)与第二缓冲器件(SD2)的一个端子连接,第二缓冲器件(SD2)的另一个端子经第二连接点(72)与并联连接体(1)的另一端连接。半导体装置经第二及第三连接点(72、73)向电力提供部(54)反馈电力。
申请公布号 CN102810852A 申请公布日期 2012.12.05
申请号 CN201210066405.6 申请日期 2012.03.14
申请人 三菱电机株式会社 发明人 神户伸介;河本厚信
分类号 H02H9/04(2006.01)I 主分类号 H02H9/04(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 闫小龙;王忠忠
主权项 一种半导体装置,其中,具有:并联连接体,包括在第一连接点和第二连接点之间并联连接的主开关元件和第一二极管;第一缓冲器件,具有所述主开关元件的耐压以下的钳位电平;以及第二缓冲器件,具有向所述主开关元件的驱动电路提供电力的电力提供部的输出电压以上的钳位电平,所述第一缓冲器件的一个端子经由所述第一连接点与所述并联连接体的一端连接,所述第一缓冲器件的另一个端子经由第三连接点与所述第二缓冲器件的一个端子连接,所述第二缓冲器件的另一个端子经由所述第二连接点与所述并联连接体的另一端连接,经由所述第二以及第三连接点向所述电力提供部反馈电力。
地址 日本东京都