| 发明名称 | 磁记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种用于同时实现高密度写操作和对温度特性的良好控制的热辅助记录技术的磁记录介质。一种用于热辅助记录技术的磁记录介质包括依次层叠到非磁性基板上的底层、磁记录层、以及保护层。磁记录层具有一种由两层磁性层和一层插入到该两磁性层之间的交换耦合控制层组成的结构，该两层磁性层通过交换耦合控制层磁耦合。在写信号过程中的耦合能量Jw和在保持信号状态中的耦合能量Jr满足关系0<Jw<Jr。 | ||
| 申请公布号 | CN101393750B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN200810149274.1 | 申请日期 | 2008.09.19 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 渡边真幸 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01)I;G11B5/012(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张鑫 |
| 主权项 | 一种磁记录介质，用于其中写信号的过程在比保持信号状态的温度高的温度下进行的磁记录装置、且包括依次层叠在非磁性基板上的底层、磁记录层、以及保护层；所述磁记录层具有的结构为，有两层磁性层和插入在所述两层磁性层之间的一层交换耦合控制层；所述两层磁性层通过所述交换耦合控制层磁耦合；写信号过程中的耦合能量与信号保持状态中的耦合能量互不相同；以及写信号过程中的耦合能量Jw与信号保持状态中的耦合能量Jr满足关系0<Jw<Jr，所述磁性层和交换耦合控制层具有的结构分别为，磁性晶粒被非磁性物质包围。 | ||
| 地址 | 日本川崎市 | ||