| 发明名称 | 一种光刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种光刻方法，包括：提供一半导体晶片，所述晶片表面包括掩蔽层，所述掩蔽层表面光滑；使所述晶片接触具有氧化作用的溶液，以使所述掩蔽层表面变粗糙；在所述晶片表面形成光刻胶层，进行光刻过程。本发明实施例所提供的光刻方法，通过在涂布光刻胶层之前，增加了湿法化学清洗的步骤，可以使原本光滑的掩蔽层表面变粗糙，从而使后续的涂布的光刻胶层与表面变粗糙后的掩蔽层之间的粘附力大大增强，从而使光刻胶层中尺寸较小的光刻胶区域能够紧固的附着在掩蔽层上，进而在很大程度上避免了光刻胶倒胶现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN102810464A | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201110147434.0 | 申请日期 | 2011.06.02 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 赵志勇;杨兆宇 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种光刻方法，其特征在于，包括：提供一半导体晶片，所述晶片表面包括掩蔽层，所述掩蔽层表面光滑；使所述晶片接触具有氧化作用的溶液，以使所述掩蔽层表面变粗糙；在所述晶片表面形成光刻胶层，进行光刻过程。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||