| 发明名称 | CMOS图像传感器 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器，包括：半导体基片，包括第一有源区，其中，所述第一有源区中包括光电二极管，晶体管，以及第二有源区，其中，所述第二有源区邻近所述光电二极管的阱，并且具有与所述光电二极管的阱相同的导电类型，所述第二有源区连接到参考电位，其中，所述第二有源区和所述光电二极管的阱通过一次离子注入形成。 | ||
| 申请公布号 | CN202585419U | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201220106945.8 | 申请日期 | 2012.03.20 |
| 申请人 | 格科微电子(上海)有限公司 | 发明人 | 赵立新;霍介光 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
| 主权项 | 一种CMOS图像传感器，包括：半导体基片，包括第一有源区，其中，所述第一有源区中包括光电二极管，晶体管，以及第二有源区，其中，所述第二有源区邻近所述光电二极管的阱，并且具有与所述光电二极管的阱相同的导电类型，所述第二有源区连接到参考电位，其中，所述第二有源区和所述光电二极管的阱通过一次离子注入形成。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张东路1388号20幢 | ||