| 发明名称 | 变容管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种变容管及其制造方法，所述变容管包括：衬底；位于所述衬底中的有源区，所述有源区包括重掺杂区；位于所述衬底上的栅极介质层；位于所述栅极介质层上的栅极层；以及，贯穿所述栅极层和栅极介质层，且暴露所述重掺杂区的贯穿孔，所述贯穿孔包括引出重掺杂区的第二连接结构；所述栅极层上还包括多个引出栅极层的第一连接结构。所述变容管可具有较高的品质因子和较大的调谐范围。制造所述变容管的方法简单、易实施。 | ||
| 申请公布号 | CN102122654B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201010022580.6 | 申请日期 | 2010.01.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈真;林永锋 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种变容管，其特征在于，所述变容管包括：衬底；位于所述衬底中的有源区，所述有源区包括重掺杂区；位于所述衬底上的栅极介质层；位于所述栅极介质层上的栅极层；以及，贯穿所述栅极层和栅极介质层，且暴露所述重掺杂区的贯穿孔，所述贯穿孔的周长小于0.3μm，所述贯穿孔间的间距小于0.5μm；穿过所述贯穿孔连接到重掺杂区的第二连接结构；所述栅极层上还包括多个引出栅极层的第一连接结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||