发明名称 |
一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法 |
摘要 |
一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法,属于特种光纤领域,特别涉及单晶光纤的包层结构设计。提出一种具有阶跃折射率包层的单晶光纤,并介绍了其制备方法。该单晶光纤包括单晶纤芯(1)和围绕在单晶纤芯周围的,两种不同折射率的材料层(2、3)沿径向交替分布构成的布拉格结构包层,两种材料层各10~20层。该光纤制备方法的特点是使用MCVD法交替沉积两种不同折射率材料,形成高、低折射率层沿径向交替分布的结构。通过加热拉伸,使交替分布结构缩小,最终裹住单晶纤芯,形成布拉格结构包层。该光纤具有阶跃折射率包层,对光的束缚能力强,损耗小。使用该方法可以为不同材料单晶光纤制备阶跃折射率包层,扩展了各种不同材料单晶光纤的应用。 |
申请公布号 |
CN102253445B |
申请公布日期 |
2012.12.05 |
申请号 |
CN201110196811.X |
申请日期 |
2011.07.14 |
申请人 |
北京交通大学 |
发明人 |
娄淑琴;鹿文亮;王立文;陈卫国;邹辉 |
分类号 |
G02B6/02(2006.01)I;G02B6/036(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种具有布拉格结构包层单晶光纤的制备方法,其特征在于:制作过程包括以下步骤:步骤一 制作单晶纤芯(1),其芯径为10~300μm;步骤二 选取一石英基管,使用MCVD法,分层交替沉积折射率不同的两种材料,每个沉积层厚度相等,各沉积10~20层,制成具有布拉格结构的包层预制件;步骤三 用加热装置加热步骤二制作的具有布拉格结构的包层预制件,并将其中心孔径拉至为100~500μm;步骤四 截取一段长于单晶纤芯(1)的具有布拉格结构的包层预制件,将步骤一制作的单晶纤芯(1)插入步骤三制作的包层的中心孔中,使单晶纤芯(1)的一端和包层的一端对齐,并烧结在一起,包层的另一端与抽气装置连接,抽气真空度为‑2000~‑3000pa;步骤五 维持内部真空度‑2000~‑3000pa条件下,使用加热装置从烧结的一端开始加热,并拉伸包层,在拉伸和负气压的作用下,包层紧紧裹住纤芯(1),向另一端缓慢移动加热装置,直至全部单晶纤芯(1)被包层紧紧裹住,冷却后便制成了布拉格结构包层单晶光纤;步骤六 用涂覆机对步骤五制成的光纤进行涂覆,增强光纤的韧性。 |
地址 |
100044 北京市海淀区西直门外上园村3号 |